QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平可以實時了解真實高溫高壓條件下，體系的組成成分、添加劑相關化學物質之間的界面相互作用，為您的研究提供了一整套的解決方案。即使是微小的改變，也能對您的工作產(chǎn)生極大的影響，而將您的決定建立在分析科學的基礎上，則會增加成功的機會。借助QSense^® High Pressure高壓模塊，我們希望能充分激發(fā)您的想象力，通過實驗測試、分析討論和方法優(yōu)化以得到更好的結果。

QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平是一款可模擬現(xiàn)實高壓反應條件的石英晶體微天平分析設備。壓力設置高至200Bar,溫度設置高至150℃。您也可以對儀器參數(shù)進行個性化定制，以滿足特定的實驗需求。

高壓石英晶體微天平由高溫樣品臺、高壓流動池、高壓泵、液體處理單元和電子單元組成

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平——專家之選

您比我們更了解您的研究領域。然而，無論是努力提高石油產(chǎn)量，防止食品加工設備與管道的污染，還是體系反滲透膜的脫鹽效率，充分地了解反應過程都具價值。通過提高對油巖界面相互作用的理解，您或許能在未來做出更明智的決定。

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平——強有力的研究工具

QCM-D是耗散型石英晶體微天平的簡稱。該技術可記錄石英晶體芯片的振蕩頻率和耗散的變化，為在納米尺度上研究分子與表面的相互作用提供了新的視角。使用QSense^® 耗散型石英晶體微天平分析儀，您可以實時跟蹤表面上發(fā)生的質量、厚度和結構物理特性等變化。

QSense^® 檢測得到的質量吸附/脫附量以及反應速率

模擬現(xiàn)實高壓反應條件

不同的反應條件下進行的測試可能得到不同的結果，而這就是我們開發(fā)QSense® 高壓石英晶體微天平的驅動力。我們可提供芯片表面定制，以滿足您的不同實驗需求?；赒CM-D的檢測結果，您可實時根據(jù)界面反應得出結論，并對反應流程進行優(yōu)化。

• 1. 在高壓和高溫的條件下進行QCM-D實驗

• 2. 根據(jù)您的特定需求選擇芯片的材質和涂層

• 3. 使用不同的有機溶劑和樣品，篩選實驗方案

選擇QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平的三個理由:

• 1. 基于對結果至關重要的表面相互作用過程信息做出更明智的決定

• 2. 從表面材料、化學反應、壓力和溫度等方面模擬真實的反應條件

• 3. 為您的實驗室裝備一套高靈敏度的科學分析工具

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平的典型應用領域：

食品加工

食品加工設備經(jīng)過使用后，通常殘留的污垢中含有豐富的營養(yǎng)成分，成為微生物生長繁殖的培養(yǎng)基。只有清除污垢，才能保障加工后的食品處于衛(wèi)生的環(huán)境中。

防止污垢沉積

檢測污垢形成的過程，尋找方法或添加劑以減少污垢沉積。使用不銹鋼芯片模擬在設備和管道表面，體系的組成成分和加工溫度對結垢的影響，進而找出適宜的化學成分、表面材料、壓力和溫度，用于預測在高溫高壓條件下，工業(yè)食品加工中不銹鋼設備的結垢/清洗行為。

RO反滲透膜

RO反滲透膜通過對高濃度的一側施加壓力進行逆滲透，工作壓力設置不當，會影響產(chǎn)水通量、脫鹽率以及RO膜元件的使用壽命。

工作壓力優(yōu)化

通過調節(jié)進水的壓力，研究影響反滲透膜的產(chǎn)水通量和脫鹽率的因素，使用QSense系統(tǒng)模擬真實世界中高溫高壓條件的海水淡化設施中可能遇到的傳輸現(xiàn)象。

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平的技術參數(shù)：

a 溫度的穩(wěn)定性取決于環(huán)境變化對樣品池升溫或冷卻的影響。如果附近有氣流或熱源使室溫變化超過±1℃，則可能無法達到系統(tǒng)設定的溫度穩(wěn)定性。

b 通過標準的QSense® 流動模塊采集數(shù)據(jù) (單頻模式下每5秒采集一個數(shù)據(jù)點，假定Sauerbrey關系是有效的)。當QSense®高壓系統(tǒng)芯片背面存在液體時，靈敏度會降低。

以上技術參數(shù)僅對此配置有效。所有技術指標如有更改，恕不另行通知。